SK海力士推进全新HBM封装技术，或缩小DRAM层间距

财联社 2026-03-04 09:30:29

3月4日消息，据ZDnet，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前该技术正在验证阶段。

若其成功商业化，将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。（财联社）

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