鞭牛士 7月5日消息，三星宣布，与Synopsys合作的采用GAA架构的3nm制程技术已经正式流片。

在3nm节点，三星比较激进，直接选择了下一代工艺技术——GAA环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。