11月4日消息，据韩国《每日经济新闻》援引业内人士消息称，三星电子计划利用其位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存（HBM）芯片所需的基础裸片。

报道说，该工厂计划于本月正式开工建设，目前产能已获得订单预订，且大部分预订产能来自AMD。

新厂预计采用先进的2纳米工艺，建筑面积约270万平方英尺，约为三星泰勒第一座工厂的1.5倍。第一座工厂已与特斯拉签订相关合同。

按照报道，工厂预计从2029年2月开始安装设备，并于2030年启动量产。