AIPress.com.cn报道

1月13日消息，韩国存储巨头 SK 海力士（SK Hynix）宣布，将在韩国忠清北道清州投资约 19 万亿韩元（约合人民币900亿元），建设一座新的芯片封装工厂，重点服务 AI 相关存储产品。

SK 海力士表示，此次投资旨在应对 AI 带动下的 HBM 需求激增。公司预计，2025 年至 2030 年间，HBM 市场年复合增长率将达到 33%，提前布局封装与测试能力已成为保障 AI 存储稳定供应的关键环节。项目计划于今年 4 月启动建设，并于 2027 年底完工。

新建工厂将成为清州园区的重要组成部分，主要承担 HBM 及其他 AI 存储产品的先进封装任务。项目完成后，SK 海力士将在利川、清州以及美国西拉法叶形成三大先进封装基地，进一步强化从晶圆制造到封装测试的垂直整合能力。

目前，清州已是 SK 海力士在韩国的重要生产枢纽，园区内集中了 M11、M12、M15 等多座晶圆厂，以及现有的封装与测试设施。公司预计，即将投产的 M15X 晶圆厂将与新规划的封装设施形成协同效应，使清州具备覆盖 NAND、DRAM 及 HBM 全流程的生产能力。SK 海力士亦强调，此次投资不仅出于短期效率考量，也希望在中长期层面强化韩国半导体产业基础，并推动区域产业均衡发展。

在宣布扩产计划前，SK 海力士已在 CES 2026 上集中展示面向 AI 的下一代存储解决方案，并明确将 AI 视为未来技术与业务布局的核心方向。公司表示，将通过与关键客户的更紧密合作，在 AI 时代探索新的商业价值空间。

SK 海力士的动作，也折射出整个存储行业的竞争态势。其主要竞争对手三星电子同样在加速扩充 HBM 产能，以满足包括英伟达在内的大客户需求。三星此前披露，计划在 2026 年将 HBM 产能提升约 50%，并正在评估新增生产线的可行性。

此外，三星还宣布将在平泽建设新的半导体工厂集群，相关投资规模达 415 亿美元，预计 2028 年投产，显著高于其此前在当地的投资水平。市场机构预测，三星在 DRAM 及 HBM 领域的月产能将在 2026 年前持续提升，并在新一代 HBM4 技术上加大投入。

整体来看，随着 AI 计算需求持续推高算力与内存门槛，HBM 正从高端产品演变为 AI 生态中的基础性资源。SK 海力士此次近 130 亿美元的封装扩产，不仅是对短期订单的回应，更是其在 AI 存储长期竞争中抢占主动权的重要布局。（AI普瑞斯编译）