SK海力士:开发出全球最高规格HBM3E,将于明年上半年投入量产
鞭牛士 8月21日消息,今日,韩国半导体公司SK海力士宣布成功开发出面向AI的高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证,将于明年上半年投入量产。
据悉,HBM3E不仅满足了用于AI的存储器必备的速度规格,也在发热控制和客户使用便利性等所有方面都达到了全球最高水平。

鞭牛士 8月21日消息,今日,韩国半导体公司SK海力士宣布成功开发出面向AI的高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证,将于明年上半年投入量产。
据悉,HBM3E不仅满足了用于AI的存储器必备的速度规格,也在发热控制和客户使用便利性等所有方面都达到了全球最高水平。