鞭牛士 6月30日消息，韩国三星电子宣布已开始使用3纳米制程工艺量产半导体芯片，成为全球首家量产3纳米芯片的公司。

在一份媒体公报中，三星表示3纳米级别芯片量产采用全环绕栅极（GAA）技术，可以使相关芯片比现有的5纳米级芯片能耗降低45%，性能提高23%，同时使芯片面积缩小16%。

三星电子已经抢先台积电和英特尔量产3纳米芯片，后两家公司分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产3纳米芯片。

此前，台积电宣布称，3纳米芯片取得重大突破，将在8月份投片。而英特尔的纳米芯片将在7月实现量产。