10月28日，据路透社报道，中国存储芯片龙头长鑫存储计划启动HBM3E高带宽内存生产，即便目前产品良率只有20%至30%，仍然决定推进量产。

知情人士表示，这一决定反映了国产AI芯片产业对高带宽内存的迫切需求。

目前，长鑫存储已经向多家国内AI芯片设计企业提供HBM3E样品，并计划在未来两个月内开始小规模生产。

HBM全称为High Bandwidth Memory，即高带宽内存，是当前高性能AI芯片的重要组成部分。与普通电脑使用的内存不同，HBM采用多层存储芯片垂直堆叠的结构，通过高密度互连实现高速数据传输。

长鑫存储是中国最大的DRAM存储芯片制造商。DRAM是计算机、服务器和其他电子设备普遍使用的动态随机存取存储器。根据Counterpoint Research的数据，今年第二季度，长鑫存储已经占据全球DRAM市场约10%的营收份额，成为全球第四大传统内存供应商。

据两位知情人士透露，长鑫存储HBM3E产品的良率目前只有20%至30%。作为对比，SK海力士相关产品的良率约为70%。但长鑫存储仍然决定启动有限规模的生产。

原因在于，国内AI芯片企业已经很难继续等待。即便国产HBM3E价格更高，只要能够提供稳定供应，也可能帮助国内AI芯片企业扩大产量。

此前已有行业消息透露，包括华为、寒武纪、沐曦和天数智芯在内的国内算力主力厂商，由于受制于昂贵且稀缺的存储元器件供应，已经被迫将旗下现有及下一代AI芯片的售价上调了两到五成。知情人士坦言，长鑫存储早在2024年就在内部启动了该项技术的立项研发，但这款国产HBM3E最终推向市场的真实成本，势必会显著高于海外成熟竞品的基准价。

在具体的技术参数上，长鑫存储目前的HBM3E在实际基准测试中表现出的性能，更接近海外上一代标准HBM3的水平，与国际顶尖梯队依然存在明显的物理代差。为了平衡生产难度并兼顾客户进度，长鑫存储在送样阶段提供了两种版本，除了基础的标准设计外，还包含了一套专门为了优化制造良率而做过技术妥协的改进版。

在当前的全球高带宽内存版图里，SK海力士、三星电子和美光科技三家凭借近乎垄断的姿态瓜分了整个市场，其中仅SK海力士一家就吃下了半数以上的市场份额。长鑫存储虽然在传统通用内存领域已经冲进全球前四，但在制造环节缺乏最先进半导体设备的严峻现实下，想要彻底抹平代际鸿沟绝非一日之功。

伴随着三星已经在向核心客户测试出样下一代HBM4E产品，国产前沿存储力量在商业化量产的轨道上，目前依然落后海外标杆整整一代以上。